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VBE16R15SFD 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBE16R15SFD是一款单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和稳定性。适用于各种电源和功率控制应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBE16R15SFD
- 品牌:VBsemi
- 封装:TO252
- 单N沟道功率MOSFET
- VDS(漏极-源极电压):600V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:240 mΩ
- ID(漏极电流):15A

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
1. 电动汽车:VBE16R15SFD可用于电动汽车的电动机驱动器和电池管理系统,实现高效能耗和长续航里程。
2. 工业电源:在工业电源模块中,该产品可用于高压电源、UPS系统和逆变器,提供稳定可靠的电力转换。
3. 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器模块,将太阳能转换为电能并进行输送,实现清洁能源的利用。
4. LED照明:用于LED照明驱动模块,提供高效的电源管理和亮度控制,应用于室内和室外照明领域。
5. 工业自动化:在工业自动化设备中,VBE16R15SFD可用于各种电机控制、机器人系统和自动化生产线。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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