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VBE16R12S 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBE16R12S是一款单N沟道MOSFET,具有稳定性和高性能。采用SJ_Multi-EPI技术制造,适用于各种电子应用领域。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBE16R12S
- MOSFET类型:单N沟道
- 额定漏极-源极电压(VDS):600V
- 标准门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):340
- 最大漏极电流(ID):12A
- 工艺技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源管理模块:VBE16R12S的稳定性和高性能使其适用于各种电源管理模块,如开关电源、稳压器和DC-DC转换器。
2. 照明系统:在LED驱动器和照明系统中,这款MOSFET可用于调光控制、功率因数校正和开关调光。
3. 工业控制模块:在工业自动化和控制系统中,VBE16R12S可用于电机驱动器、逆变器和工业控制模块,提高系统的效率和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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