VBE16R12S - VBsemi MOS管制造商

VBE16R12S 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

返回上级页面

产品简介：

产品简介：
VBsemi的VBE16R12S是一款单N沟道MOSFET，具有稳定性和高性能。采用SJ_Multi-EPI技术制造，适用于各种电子应用领域。

文件下载

下载PDF 文档

立即下载

点击查看大图

产品参数：

详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 型号：VBE16R12S
- MOSFET类型：单N沟道
- 额定漏极-源极电压（VDS）：600V
- 标准门源电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻（mΩ）：340
- 最大漏极电流（ID）：12A
- 工艺技术：SJ_Multi-EPI
- 封装：TO252

领域和模块应用：

适用领域和模块示例：
1. 电源管理模块：VBE16R12S的稳定性和高性能使其适用于各种电源管理模块，如开关电源、稳压器和DC-DC转换器。
2. 照明系统：在LED驱动器和照明系统中，这款MOSFET可用于调光控制、功率因数校正和开关调光。
3. 工业控制模块：在工业自动化和控制系统中，VBE16R12S可用于电机驱动器、逆变器和工业控制模块，提高系统的效率和稳定性。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

MOSFET

VBE16R12S 产品详细

产品简介：

文件下载

下载PDF 文档

产品参数：

领域和模块应用：

技术支持：

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

微信咨询

一键置顶