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VBE16R11S 产品详细

产品简介:

产品简介:

VBE16R11S是VBsemi生产的单N沟道场效应管(MOSFET)产品,具有可靠性高、性能稳定的特点。采用SJ_Multi-EPI工艺制造,封装为TO252,适用于各种低功率电子设备和电路应用。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBE16R11S
- 品牌:VBsemi
- 结构类型:单N沟道场效应管(MOSFET)
- 额定电压(VDS):600V
- 最大门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 10V下漏极-源极电阻(mΩ):380
- 额定漏极电流(ID):11A
- 工艺技术:SJ_Multi-EPI
- 封装类型:TO252

领域和模块应用:

应用领域举例:

1. 低功率电源模块:VBE16R11S适用于各种低功率电源模块,如手机充电器、笔记本电脑适配器等,可用于家庭、商用和移动设备等场景。

2. LED照明控制:在LED照明系统中,VBE16R11S可作为LED驱动电路中的开关元件,实现LED灯的亮度调节和开关控制,用于室内照明和户外景观照明等场合。

3. 电子设备保护:作为电子设备中的过压保护和过流保护元件,VBE16R11S能够及时切断电路,保护电子设备不受损坏,广泛应用于各类电源管理系统和电路保护装置中。

4. 电动工具驱动:在电动工具中,VBE16R11S可用于电机驱动电路,控制电动工具的转速和功率输出,如电动钻、电动割草机等。

5. 工业控制器:在工业控制系统中,VBE16R11S可用于PLC(可编程逻辑控制器)、DCS(分布式控制系统)等控制器中,实现各种工艺过程的自动化和精确控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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