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VBE16R10S 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBE16R10S是一款单N沟道MOSFET,具有高性能和可靠性。采用SJ_Multi-EPI技术制造,适用于多种电子应用领域。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBE16R10S
- MOSFET类型:单N沟道
- 额定漏极-源极电压(VDS):600V
- 标准门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):470
- 最大漏极电流(ID):10A
- 工艺技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源模块:VBE16R10S可用于开关电源模块、稳压器和DC-DC转换器,提供高效能的电源解决方案。
2. LED驱动器:在LED照明系统中,这款MOSFET可用于LED驱动器的功率控制和调光功能,提高照明系统的效率和可调节性。
3. 电动工具:VBE16R10S可用于电动工具中的电机驱动控制模块,如电动钻、电动锤等,提供稳定可靠的功率输出,增强工具的性能和使用寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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