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VBE16R08SE 产品详细

产品简介:

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VBE16R08SE是VBsemi推出的单N沟道MOSFET,采用SJ_Deep-Trench技术制造。它具有600V的漏源极电压(VDS)、30V的栅源电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。该产品采用TO252封装,适用于各种功率电子系统。电源管理、LED照明、小型家电、工业控制以及汽车电子等多个领域和模块,具有广泛的应用前景和市场需求。

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产品参数:

详细参数说明:

1. 漏源极电压(VDS):600V
2. 栅源电压(VGS):±30V
3. 阈值电压(Vth):3.5V
4. 在VGS=10V时的漏源极电阻(mΩ):460
5. 最大漏极电流(ID):8A
6. 技术:SJ_Deep-Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块:

1. 电源管理模块:由于VBE16R08SE具有较低的漏源极电阻和较小的封装尺寸,适用于电源管理模块中的开关电源、DC-DC转换器等,实现高效的能量转换和精确的电源管理。

2. LED驱动器:在LED照明领域,该型号的MOSFET可用于LED驱动电路中,提供稳定可靠的电源和高效的能量转换,满足不同场景下的照明需求。

3. 小型家电:由于封装尺寸较小,VBE16R08SE适用于小型家电中的功率控制模块,如电视机、冰箱、空调等,实现电力管理和功率控制。

4. 工业控制系统:在工业控制领域,该型号的MOSFET可以应用于电机驱动器、温度控制器、PLC等各种控制系统中,提供可靠的功率控制和调节功能。

5. 汽车电子系统:VBE16R08SE适用于汽车电子系统中的功率控制模块,如车载充电器、车载娱乐系统等,实现高效的能量转换和电力管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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