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VBE16R05 产品详细

产品简介:

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VBE16R05是VBsemi公司生产的Single N型MOSFET,采用Plannar技术制造。该器件具有600V的漏极-源极电压(VDS),30V的门极-源极电压(VGS),3.5V的门极阈值电压(Vth)。其封装为TO252。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门极-源极电压(VGS):±30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- 4.5V门极电压下的漏极-源极电阻(mΩ):1000mΩ
- 10V门极电压下的漏极-源极电阻(mΩ):800mΩ
- 最大漏极电流(ID):6.2A
- 技术:Plannar

领域和模块应用:

应用示例:
- 低功率开关电源:由于VBE16R05具有低漏极电流和适中的漏极电阻,适用于低功率开关电源模块,如小型充电器和适配器。
- LED驱动器:在LED照明系统中,该器件可用于LED驱动器中的电源开关和调光功能,提供高效的电源管理和控制。
- 汽车电子:作为汽车电子系统中的关键元件,VBE16R05可用于驱动小功率电机和执行车内电子设备的控制任务。
- 工业控制:在工业自动化和控制系统中,该器件可用于控制小功率设备和执行传感器接口等任务。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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