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VBE16R04 产品详细

产品简介:

产品简介:VBE16R04是VBsemi品牌的单N型场效应晶体管,采用Plannar技术封装为TO252。具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门源电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)、1800mΩ(VGS=4.5V)和1440mΩ(VGS=10V)的导通电阻以及4A的漏极电流(ID)。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 门源电压为4.5V时的导通电阻:1800mΩ
- 门源电压为10V时的导通电阻:1440mΩ
- 漏极电流(ID):4A
- 技术:Plannar
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 低压电源管理模块:适用于低压电源逆变器、直流-直流转换器等模块,提供稳定的功率转换和电源控制。
2. 汽车电子系统:可用于汽车电子系统中的电源管理模块,如点火控制、照明控制等,提供稳定的电源和功率管理。
3. LED照明驱动器:在LED照明系统中的功率开关模块,实现对LED灯光的稳定控制和调节。
4. 工业控制系统:适用于工业控制系统中的功率开关模块,提供对电机和设备的精确控制,提高生产效率和能源利用率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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