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VBE16R02SE 产品详细

产品简介:

产品简介:VBE16R02SE是VBsemi品牌的单N型场效应晶体管,采用SJ_Deep-Trench技术封装为TO252。具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门源电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)、1700mΩ(VGS=10V)的导通电阻和2A的漏极电流(ID)。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 门源电压为10V时的导通电阻:1700mΩ
- 漏极电流(ID):2A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 小功率电源模块:适用于低功率电源逆变器、直流-直流转换器等模块,提供稳定的功率转换和电源控制。
2. 照明控制:可用于LED照明驱动器、灯光调节器等模块,提供稳定的功率控制和灯光调节功能。
3. 智能家居系统:在智能家居系统中的功率开关模块,实现对家电设备的智能控制和管理。
4. 电动玩具和小型电器:适用于电动玩具和小型电器中的电源管理和电机驱动模块,提供足够的功率和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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