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VBE16R02S 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi 的 VBE16R02S 是一款单 N 沟道场效应晶体管,具有适中的电压和电流承受能力,适用于一般功率电子应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBE16R02S
- 类型:单 N 沟道场效应晶体管
- 最大漏极-源极电压(VDS):600V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电压为 10V 时的导通电阻(mΩ):2300
- 最大漏极电流(ID):2A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 小功率电源模块:由于 VBE16R02S 具有适中的电压和电流承受能力,可用于设计小功率电源模块,如低功率逆变器、电源适配器等。
2. LED 驱动器:在 LED 照明领域中,可作为 LED 驱动器中的功率开关器件,实现 LED 灯的高效率驱动和调光控制。
3. 家用电器:适用于家用电器中的功率控制和开关电路,如电视机、洗衣机等,确保设备的正常运行和节能。
4. 电动工具:在电动工具中,可用作功率开关器件,实现电机的高效率驱动和控制,提升工具的性能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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