VBE16R02 - VBsemi MOS管制造商

VBE16R02 产品详细

描述
参数
应用
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产品简介：

产品简介：
型号：VBE16R02
品牌：VBsemi
封装：TO252
参数：
- Single N
- VDS(V): 600
- VGS(±V): 30
- Vth(V): 3.5
- VGS=4.5V(mΩ): 3695
- VGS=10V(mΩ): 3560
- ID (A): 2
- Technology: Plannar

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产品参数：

详细参数说明：
1. Single N：单N沟道
2. VDS(V): 600 - 饱和漏-源电压
3. VGS(±V): 30 - 栅-源电压（最大）
4. Vth(V): 3.5 - 门阈电压
5. VGS=4.5V(mΩ): 3695 - 在VGS=4.5V时的漏-源电阻
6. VGS=10V(mΩ): 3560 - 在VGS=10V时的漏-源电阻
7. ID (A): 2 - 连续漏极电流
8. Technology: Plannar - 平面结构技术

领域和模块应用：

适用领域和模块：
1. 低功耗电子设备：由于其低漏-源电阻和低功耗特性，适用于低功耗电子设备，如传感器接口和微控制器电源管理。
2. 电池管理系统：在小型电池管理系统中，如便携式设备和智能家居产品中的电池充放电管理模块。
3. 智能传感器网络：可用于智能传感器网络中的节点设备，如物联网(IoT)设备和环境监测传感器。
4. 医疗器械：适用于低功耗的医疗器械，如便携式医疗监测设备和医疗传感器。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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