MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBE1695 产品详细

产品简介:

VBE1695为单N沟道场效应管(Single N),适用于多种应用场景,具有高性能和稳定的特性。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

**参数说明:**
- 类型:单N沟道场效应管(Single N)
- 额定漏极-源极电压(VDS):60V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.7V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ):85
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):73
- 最大漏极电流(ID):18A
- 技术:沟槽(Trench)
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用于以下领域和模块:

1. 电源开关模块:由于VBE1695具有较高的漏极-源极电压和漏极电流能力,可用于设计各种类型的电源开关模块,包括电源开关、DC-DC转换器和AC-DC转换器,在通信设备、计算机系统和工业自动化领域中提供稳定的电源输出和高效的能量转换。

2. 电动汽车充电器模块:该场效应管适用于设计电动汽车的充电器模块,提供高效的电源管理和稳定的充电电流输出,用于电动汽车充电设施和充电站,以满足电动汽车的快速充电需求。

3. 工业控制系统模块:VBE1695可用于设计工业控制系统中的电源管理模块,如PLC控制器、工业机器人和自动化生产线的电源供应模块,在工业自动化和制造领域提供稳定的电力输出和可靠的功率控制。

4. LED照明驱动器模块:适用于设计LED照明驱动器模块,用于室内和室外照明系统,提供稳定的电流输出和高效的能量转换,满足建筑照明、道路照明和景观照明等领域的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询