VBE165R20S - VBsemi MOS管制造商

VBE165R20S 产品详细

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产品简介：

产品简介：VBsemi的VBE165R20S是一款TO252封装的N沟道场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术制造。它具有650V的漏极-源极电压（VDS），20A的漏极电流（ID），30V的门源电压（VGS），3.5V的门阈电压（Vth），以及160mΩ的导通电阻（VGS=10V）。这款产品适用于低中功率应用场合。

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产品参数：

详细参数说明：
- 电压参数：VDS（漏极-源极电压）为650V，VGS（门源电压）为±30V，Vth（门阈电压）为3.5V。
- 电流参数：ID（漏极电流）为20A。
- 技术特性：采用SJ_Multi-EPI技术。
- 导通电阻：在VGS=10V时为160mΩ。
- 封装：TO252。

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：
1. 电源开关模块：用于低中功率的开关模块，如家用电源适配器、电视机顶盒电源等。
2. LED驱动器：在LED照明产品中，可用于驱动低中功率LED灯珠，如家庭照明灯具、商业照明灯带等。
3. 汽车电子：适用于汽车电子系统中的低中功率电路，如汽车照明、空调控制等。
4. 工业控制器：用于工业自动化控制系统中的低中功率执行器和控制器，如PLC（可编程逻辑控制器）输出模块、传感器信号放大器等。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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