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VBE165R20S 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBE165R20S是一款TO252封装的N沟道场效应晶体管,采用SJ_Multi-EPI技术制造。它具有650V的漏极-源极电压(VDS),20A的漏极电流(ID),30V的门源电压(VGS),3.5V的门阈电压(Vth),以及160mΩ的导通电阻(VGS=10V)。这款产品适用于低中功率应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 电压参数:VDS(漏极-源极电压)为650V,VGS(门源电压)为±30V,Vth(门阈电压)为3.5V。
- 电流参数:ID(漏极电流)为20A。
- 技术特性:采用SJ_Multi-EPI技术。
- 导通电阻:在VGS=10V时为160mΩ。
- 封装:TO252。

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源开关模块:用于低中功率的开关模块,如家用电源适配器、电视机顶盒电源等。
2. LED驱动器:在LED照明产品中,可用于驱动低中功率LED灯珠,如家庭照明灯具、商业照明灯带等。
3. 汽车电子:适用于汽车电子系统中的低中功率电路,如汽车照明、空调控制等。
4. 工业控制器:用于工业自动化控制系统中的低中功率执行器和控制器,如PLC(可编程逻辑控制器)输出模块、传感器信号放大器等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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