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VBE165R16S 产品详细

产品简介:

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VBsemi 的 VBE165R16S 是一款单 N 型 MOSFET,具有 650V 的漏极-源极电压(VDS),30V 的门源极电压(VGS,正负),和 3.5V 的阈值电压(Vth)。它采用 SJ_Multi-EPI 技术,并且封装为 TO252。

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产品参数:

详细参数说明:

- 漏极-源极电压(VDS): 650V
- 门源极电压(VGS,正负): ±30V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- VGS=10V 时的导通电阻(mΩ): 230
- 最大漏极电流(ID): 16A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

- 电源管理模块:适用于电源管理模块中的开关电源和功率控制,例如低功率电源适配器和充电器。
- 汽车电子系统:可用于汽车电子系统中的电动汽车驱动器、车载充电器和DC-DC转换器,提高电动车的性能和能效。
- 工业自动化设备:适用于工业自动化设备中的电源开关和电机控制,如PLC、伺服驱动器和工业电机控制器。
- LED照明控制器:用作LED照明控制器中的开关管,实现高效的LED光源控制和调节,提高照明系统的能效和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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