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VBE165R15SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBE165R15SE是VBsemi品牌的Single N MOSFET,具有650V的耐压能力,最大门源电压为30V,阈值电压为3.5V。该器件采用SJ_Deep-Trench技术,封装为TO252。适用于各种电源和功率控制应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBE165R15SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:Single N MOSFET
- 最大漏极-源极电压(VDS):650V
- 最大门-源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 10V下的漏极-源极电阻(mΩ):220mΩ
- 最大漏极电流(ID):15A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO252

领域和模块应用:

示例应用:
1. 电源模块:VBE165R15SE适用于电源模块的功率开关,如逆变器和开关电源,提供可靠的电力转换和控制功能。
2. 电动车控制器:在电动车的电动控制器中,该器件可以用于电机驱动和电池管理系统,实现高效能量转换和动力输出控制。
3. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,VBE165R15SE可用于逆变器的DC-AC转换阶段,将太阳能转换为可用的交流电。
4. 工业自动化设备:该器件适用于工业机器人、自动化设备和PLC等系统中的功率开关模块,提供可靠的电力控制和保护功能。
5. LED照明系统:作为LED照明系统中的功率开关器件,VBE165R15SE可用于LED驱动电路,实现照明亮度的调节和节能功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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