MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBE165R11SE 产品详细

产品简介:

产品简介:

VBE165R11SE是VBsemi品牌生产的单N型场效应晶体管。采用SJ_Deep-Trench技术,封装为TO252。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)、以及11A的漏极电流(ID)。VBE165R11SE产品具有稳定可靠的性能,适用于多种领域和模块。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:

1. VDS(漏极-源极电压):650V
2. VGS(栅极-源极电压):±30V
3. Vth(阈值电压):3.5V
4. VGS=10V时的漏极电阻(mΩ):290mΩ
5. ID(漏极电流):11A
6. 技术:详细参数说明:

1. VDS(漏极-源极电压):650V
2. VGS(栅极-源极电压):±30V
3. Vth(阈值电压):3.5V
4. VGS=10V时的漏极电阻(mΩ):290mΩ
5. ID(漏极电流):11A
6. 技术:SJ_Deep-Trench
7. 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 电源变换器:VBE165R11SE可用于电源变换器中的开关电源,提供稳定的电力输出,适用于工业设备和电子系统。
2. 电动车辆控制器:在电动车辆控制器中,该型号的晶体管可用于电动车的电机驱动和功率控制,提高车辆的动力性能和能效。
3. 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器中的直流到交流的转换,确保太阳能系统的高效稳定运行。
4. LED照明驱动器:在LED照明驱动器中,VBE165R11SE可用于LED灯珠的电流调节和开关控制,提高照明效果和节能效率。

以上是VBE165R11SE产品的简介、详细参数说明以及适用领域和模块的举例说明。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询