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VBE165R11S 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBE165R11S是一款单N型场效应晶体管,具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门-源电压(VGS)、3.5V的门阈电压(Vth),适用于各种电力和电子应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- VDS(漏极-源极电压):650V
- VGS(门-源电压):±30V
- Vth(门阈电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):370
- 最大漏极电流(ID):11A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO252

领域和模块应用:

应用示例:
- 电源逆变器:适用于太阳能逆变器、UPS逆变器等高压电源转换应用,提供稳定的功率转换和可靠的性能。
- 工业控制:可用于工业电机控制、变频器等设备,满足工业自动化领域对高电压和中等电流的需求。
- 汽车电子:在汽车电子系统中,可用于动力电池管理系统和电动车辆的电机驱动系统,支持高压高功率的应用场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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