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VBE165R09S 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBE165R09S 是一款 Single N MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装为 TO252。具有优异的性能和稳定性,适用于各种电源和功率控制应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 产品型号:VBE165R09S
- MOSFET类型:Single N
- 额定电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅源电压为10V时的导通电阻:500mΩ
- 最大连续漏极电流(ID):9A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电源模块:由于 VBE165R09S 具有高电压和高导通电流特性,可广泛应用于工业电源模块中,如电机驱动器和逆变器。
2. 汽车电子:其稳定性和耐高压特性使其成为汽车电子系统中的理想选择,如电动汽车的电力转换模块和充电桩控制器。
3. 太阳能逆变器:作为太阳能逆变器中的关键元件,VBE165R09S 可以有效地转换太阳能电池板产生的直流电为交流电。
4. LED照明:在 LED 照明应用中,VBE165R09S 可以作为电源驱动器中的开关管,实现高效的电能转换和调光控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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