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VBE165R08SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBE165R08SE是VBsemi品牌推出的单N沟道场效应晶体管,具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门源极电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth)。该产品采用SJ_Deep-Trench技术制造,具有优异的性能和稳定性。封装形式为TO252。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 门源极电压(VGS):30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):460
- 最大漏极电流(ID):8A
- 技术:SJ_Deep-Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源开关模块:由于VBE165R08SE具有适中的漏极-源极电压和导通电流,适用于电源开关模块,如开关电源、逆变器等。
2. LED驱动模块:该产品可用于LED驱动模块中的功率开关,实现对LED灯的高效驱动和控制,提供稳定的照明效果。
3. 电动工具电源模块:VBE165R08SE可用于电动工具电源模块中的功率开关,如电动钻、电动锯等,实现对电动工具的高效供电和控制。
4. 变频空调模块:该产品适用于变频空调模块中的功率开关,实现对变频空调的功率调节和控制,提高空调系统的能效。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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