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VBE165R08S 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi 的 VBE165R08S 是一款单 N 沟道场效应晶体管,适用于高压和高电流应用。具有优秀的导通特性和耐压能力,可用于各种功率电子应用中。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBE165R08S
- 类型:单 N 沟道场效应晶体管
- 最大漏极-源极电压(VDS):650V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电压为 10V 时的导通电阻(mΩ):560
- 最大漏极电流(ID):8A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电源:由于 VBE165R08S 具有较高的耐压能力和电流承受能力,适用于设计工业电源模块,确保稳定可靠的电源输出。
2. 电动车充电桩:在电动车充电桩中,需要高性能的功率器件来处理高压和大电流,VBE165R08S 可作为关键的功率开关元件。
3. 频率变换器:在频率变换器和变频调速器中,需要具有优异导通特性和耐压能力的晶体管来实现电源转换和电机控制,该产品可满足这些要求。
4. 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器中的功率转换和控制电路,提供高效率和可靠性的能量转换解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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