产品简介:VBsemi的VBE165R07SE型号是一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。该产品采用SJ_Deep-Trench技术制造,封装为TO252。
详细参数说明:
- VDS(漏极-源极电压):650V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:600mΩ
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO252
适用领域和模块示例:
- 电源模块:由于具有650V的漏极-源极电压和7A的最大漏极电流,适用于中等功率的电源模块,如电源逆变器和工业电源。
- 汽车电子:可用于汽车电子模块中的功率开关,如发动机控制单元和电动汽车驱动器,以实现高效的电动车动力控制。
- 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器中的功率开关模块,以实现太阳能光伏发电系统的高效能转换。
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