产品简介：VBsemi的VBE165R05SE是一款单N沟道功率场效应晶体管（FET），采用SJ_Deep-Trench技术制造。其封装为TO252，具有稳定可靠的性能和高效的功率处理能力。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
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详细参数说明：
- 电压参数：VDS（漏极-源极电压）为650V，VGS（栅极-源极电压）为±30V，阈值电压（Vth）为3.5V。
- 电流参数：在VGS=10V时，漏极-源极电阻（RDSon）为750mΩ，最大漏极电流（ID）为5A。
适用领域和模块：
1. LED照明：适用于LED驱动器、照明控制模块和智能照明系统。
2. 电源模块：用于低功率开关电源、充电器和逆变器等电源管理模块。
3. 汽车电子：可用于汽车电子控制单元、电动汽车的电机控制和电池管理系统。
4. 家用电器：适用于家用电器的功率控制和开关电源模块，如空调、冰箱和洗衣机。
5. 工业控制：可用于工业控制系统中的电机控制、高压电源管理和逆变器。
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