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VBE165R05S 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBE165R05S是一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:
- 电压参数:VDS(漏极-源极电压)为650V,VGS(栅极-源极电压)为±30V,阈值电压(Vth)为3.5V。
- 电流参数:在VGS=10V时,漏极-源极电阻(RDSon)为1000mΩ,最大漏极电流(ID)为5A。

领域和模块应用:

适用领域和模块:
1. 电源模块:用于低功率开关电源、充电器和逆变器等电源管理模块。
2. 汽车电子:可用于汽车电动化系统中的辅助电路和电源管理单元。
3. LED照明:适用于LED驱动器和照明控制模块。
4. 家用电器:可用于家用电器的功率控制和开关电源模块。
5. 工业控制:适用于工业控制系统中的电机控制和功率逆变器。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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