MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBE165R04 产品详细

产品简介:

产品简介详:
VBsemi的VBE165R04是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS分别为4.5V和10V时,具有2750mΩ和2200mΩ的导通电阻,可承受最大4A的漏极电流(ID)。采用Plannar技术,封装为TO252。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

参数说明:
- 型号:VBE165R04
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管(MOSFET)
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=4.5V时的导通电阻:2750mΩ
- VGS=10V时的导通电阻:2200mΩ
- 最大漏极电流(ID):4A
- 技术:Plannar
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 电源逆变器:用于工业、家庭以及汽车电子等领域的逆变器,将直流电转换为交流电。
2. 电动汽车充电桩:作为电动汽车充电桩中的功率开关元件,控制充电过程中的电流和电压。
3. UPS系统:在不间断电源系统中,用于备用电源开关和电池管理。
4. 风能和太阳能逆变器:用于风力发电和太阳能发电系统中,作为逆变器的关键组件。
5. 工业自动化设备:用于工厂自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。

这些领域和模块需要高性能、高可靠性的功率开关元件来实现功率控制和转换功能,而VBE165R04正是满足这些要求的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询