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VBE165R03SE 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBE165R03SE 是一款单N沟道场效应晶体管,采用 SJ_Deep-Trench 技术制造。具有可靠性高、性能优异的特点,适用于各种电力电子应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBE165R03SE
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管
- 封装:TO252
- VDS(耐压):650V
- VGS(门极源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:1600mΩ
- 最大漏极电流(ID):3A
- 技术:SJ_Deep-Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
1. 电源逆变器:VBE165R03SE 可用于电源逆变器中的开关模块,将直流电转换为交流电,用于各种家用和商用电器设备。
2. 风能转换系统:在风能转换系统中,该产品可用于风力发电机组的逆变器和控制模块,实现对风能的高效转换利用。
3. 工业控制器:适用于工业控制系统中的电源开关、变频器等模块,保障工厂设备的正常运行和生产效率。
4. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,VBE165R03SE 可用于电动汽车的电机驱动器和充电控制器模块,提供高效能的动力输出和充电服务。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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