VBE165R02SE是一款单极性 N 型功率场效应晶体管（MOSFET），具有以下特点：
- 额定电压高达650V，适用于高压应用场景。
- 门源电压范围广泛（±30V），具有良好的电压容忍性。
- 阈值电压较低（3.5V），有助于减少功率损耗。
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻为2200mΩ，提供可靠的导通特性。
- 漏极电流为2A，适用于低功率需求。
- 采用SJ_Deep-Trench技术，具有优异的性能和可靠性。
- 封装为TO252，易于安装和散热。