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VBE165R02S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBE165R02S是一款单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和可靠性。该产品的主要特点包括650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO252,适用于各种应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:
- VDS(漏极-源极电压):650V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):2300
- 最大漏极电流(ID):2A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO252

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电源模块:VBE165R02S可用于工业电源模块中的功率开关,帮助提高电源转换效率和稳定性。
2. 汽车电子模块:由于其高性能和可靠性,该产品适用于汽车电子模块,如车载充电器和电动车控制系统。
3. LED照明模块:在LED照明领域,VBE165R02S可以用作LED驱动电路中的功率开关,提供高效的能量转换和稳定的电源输出。
4. 医疗设备模块:由于其稳定性和可靠性,该产品适用于医疗设备模块,如医疗成像设备和手术器械控制系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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