**产品简介：**
VBE165R02是VBsemi推出的单极N型场效应晶体管。具有650V的漏源极电压（VDS）、30V的栅源极电压（VGS）、3.5V的阈值电压（Vth），以及在不同栅源极电压下的栅源极电阻和2A的漏极电流。采用Plannar技术制造，封装为TO252，适用于各种电源和电路模块。

**详细参数说明：**
- VDS(V): 漏源极电压，650V
- VGS(±V): 栅源极电压，±30V
- Vth(V): 阈值电压，3.5V
- VGS=4.5V(mΩ): 栅源极电阻（VGS=4.5V），3440mΩ
- VGS=10V(mΩ): 栅源**产品简介：**
VBE165R02是VBsemi推出的单极N型场效应晶体管。具有650V的漏源极电压（VDS）、30V的栅源极电压（VGS）、3.5V的阈值电压（Vth），以及在不同栅源极电压下的栅源极电阻和2A的漏极电流。采用Plannar技术制造，封装为TO252，适用于各种电源和电路模块。

**详细参数说明：**
- VDS(V): 漏源极电压，650V
- VGS(±V): 栅源极电压，±30V
- Vth(V): 阈值电压，3.5V
- VGS=4.5V(mΩ): 栅源极电阻（VGS=4.5V），3440mΩ
- VGS=10V(mΩ): 栅源极电阻（VGS=10V），4300mΩ
- ID (A): 漏极电流，2A
- Technology：制造技术，Plannar
- 封装：TO252