VBE165R01 - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

**产品简介：**
VBE165R01是VBsemi推出的单极N型场效应晶体管。具有650V的漏源极电压（VDS）、30V的栅源极电压（VGS）、3.5V的阈值电压（Vth），以及8500mΩ的栅源极电阻（VGS=10V）。采用Plannar技术制造，封装为TO252，适用于各种电源和电路模块。

**详细参数说明：**
- VDS(V): 漏源极电压，650V
- VGS(±V): 栅源极电压，±30V
- Vth(V): 阈值电压，3.5V
- VGS=10V(mΩ): 栅源极电阻（VGS=10V），8500mΩ
- ID (A): 漏极电流，1A
- Technology：制造技术，Plannar
- 封装：TO252

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产品参数：

参数：
- 单极N型
- VDS(V): 650
- VGS(±V): 30
- Vth(V): 3.5
- VGS=10V(mΩ): 8500
- ID (A): 1
- Technology：Plannar
- 封装：TO252

领域和模块应用：

**适用领域和模块示例：**
1. **电源模块**：由于VBE165R01具有高漏源极电压和低栅源极电阻，适用于各种电源模块，包括开关电源、逆变器等。
2. **驱动模块**：作为场效应晶体管，VBE165R01可以用于各种驱动模块，如电机驱动、LED驱动等。
3. **电力控制模块**：在需要控制电流和电压的场景中，如电力电子转换器、变流器等，VBE165R01可以作为关键组件。
4. **工业自动化**：由于其稳定可靠的性能，适用于工业自动化领域中的各种控制和驱动模块。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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