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VBE1636 产品详细

产品简介:

VBE1636是一款单通道N沟道场效应管,适用于中低功率应用场景,具有适中的电压容限和漏极电流。

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产品参数:

**产品型号:** VBE1636
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- **Single N:** 单通道N沟道场效应管
- **VDS(V):** 饱和漏源电压:60V
- **VGS(±V):** 栅极-源极电压:±20V
- **Vth(V):** 阈值电压:1.7V
- **VGS=4.5V(mΩ):** 栅源电压为4.5V时的导通电阻:44mΩ
- **VGS=10V(mΩ):** 栅源电压为10V时的导通电阻:31mΩ
- **ID (A):** 最大漏极电流:40A
- **Technology:** 沟道工艺
- **封装:** TO252

领域和模块应用:

**举例说明:**
1. **电源开关模块:** 由于VBE1636具有60V的饱和漏源电压和40A的最大漏极电流,适合用作中低功率电源开关模块中的开关管,用于控制电源的开关,实现电路的断开和闭合,保护电路安全稳定运行。

2. **LED驱动模块:** 该场效应管的适中导通电阻和电压容限使其适用于LED驱动模块中的功率开关,可用于控制LED灯的亮度和开关,实现LED灯的稳定驱动,常见于照明系统、汽车灯光等领域。

3. **电池管理模块:** VBE1636可用作电池管理模块中的开关管,通过其适中的漏极电流和导通电阻,用于控制电池的充放电过程,保护电池和电路安全运行,常见于移动电源、充电宝等电池供电设备中。

4. **小型电源转换器:** 由于具有适中的电压容限和漏极电流,VBE1636可用于小型电源转换器中的开关管,实现输入电压到输出电压的转换,常见于手机充电器、电子设备供电模块等场合。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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