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VBE1606 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBE1606是一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为60V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为3V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用TO252封装,适用于各种应用场合。

VBE1606适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。

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产品参数:

参数:
- Single N
- VDS(V): 60
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 3
- VGS=4.5V(mΩ): 12
- VGS=10V(mΩ): 5
- ID (A): 97
- Technology: Trench
封装: TO252

领域和模块应用:

应用示例:
1. **电源管理模块**: VBE1606的适中功率和低导通电阻使其非常适合用于电源管理模块中的开关电源电路。例如,在电源适配器或稳压器中,它可以用作开关管,帮助实现高效的电源转换和稳定的输出。

2. **LED驱动模块**: 由于VBE1606具有适中的功率和电流承受能力,因此它也适合用于LED驱动模块中的电流调节电路。例如,在LED照明系统中,它可以用作LED灯珠的电流调节器,帮助实现LED的恒流驱动和亮度控制。

3. **工业控制模块**: 该器件的高电压承受能力和低导通电阻使其在工业控制模块中有广泛的应用。例如,在工业自动化控制系统中,它可以用作开关控制器,帮助实现各种工业设备的精确控制和高效运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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