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VBE15R10S 产品详细

产品简介:

VBE15R10S是由VBsemi生产的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有以下详细参数:

- VDS(V): 500V - 漏极-源极电压
- VGS(±V): 30V - 栅极-源极电压
- Vth(V): 3.5V - 阈值电压
- VGS=10V(mΩ): 380mΩ - 在栅极-源极电压为10V时的导通电阻
- ID (A): 10A - 漏极电流
- Technology: SJ_Multi-EPI - 使用SJ_Multi-EPI技术制造
- 封装: TO252 - TO252封装形式

VBE15R10S MOSFET适用于需要高压、高功率和高效能量转换的应用,包括高压电源模块、汽车电子模块和高压开关模块等领域。

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产品参数:

产品型号: VBE15R10S
品牌: VBsemi
参数: Single N
VDS(V): 500
VGS(±V): 30
Vth(V): 3.5
VGS=10V(mΩ): 380
ID (A): 10
Technology: SJ_Multi-EPI
封装: TO252

领域和模块应用:

VBE15R10S适用于多种领域和模块,例如:

1. 高压电源模块: 由于其较高的漏极-源极电压(500V)和适中的漏极电流(10A)能力,VBE15R10S适用于高压电源模块,如电力变换器、高压逆变器和工业电源。其低导通电阻(380mΩ)和SJ_Multi-EPI技术制造的优势使其能够实现高效能量转换和稳定性能。

2. 汽车电子模块: 该器件适用于汽车电子模块,如发动机控制单元(ECU)、转向控制器和电源管理系统。其高压承受能力和稳定性能使其能够在汽车电子系统中可靠运行,并满足汽车电子模块对高压和高功率的要求。

3. 高压开关模块: VBE15R10S适用于需要高压开关操作的模块,例如高压开关电源、高压开关控制器和电源逆变器。其高压承受能力和低导通电阻可以满足高压开关模块对高效能量转换和高频率操作的要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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