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VBE155R02 产品详细

产品简介:

VBE155R02是一款Single N结构的功率MOSFET,具有550V的额定漏极-源极电压、适中的阈值电压、适用于Plannar技术的制造工艺。其TO252封装适用于中低功率应用场景。

VBE155R02适用于需要中低功率承受能力、低功耗和适中漏极电流的场景,包括汽车电子模块、LED照明驱动器、工业控制模块等领域。

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产品参数:

产品型号:VBE155R02
品牌:VBsemi
所属公司:深圳市微碧半导体有限公司
参数:
- 结构类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):550V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3V
- 漏极-源极电阻(VGS=10V):3000 mΩ
- 漏极电流(ID):2A
- 技术:Plannar
封装:TO252

领域和模块应用:

举例说明:
1. 汽车电子模块:
由于VBE155R02具有适中的漏极电流和低功耗特性,适合用于汽车电子模块中的驱动器件,如车身控制模块、电动车充电控制模块等。

2. LED照明驱动器:
在LED照明驱动器中,需要使用功率MOSFET来实现LED灯珠的驱动和控制。VBE155R02的TO252封装和Plannar技术使其成为LED照明驱动器中的理想选择。

3. 工业控制模块:
在工业控制模块中,需要使用功率MOSFET来实现对各种工业设备的精确控制。VBE155R02的适中的电流承受能力和低功耗特性使其适用于工业控制模块中的电源开关和电流调节功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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