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VBE1410 产品详细

产品简介:

VBE1410是一款单路N沟道MOSFET,适用于设计各种电源模块。具有40V的最大漏极-源极电压(VDS)、55A的最大漏极电流(ID)。封装为TO252,适用于各种设计电源开关模块。

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产品参数:

产品型号: VBE1410
品牌: VBsemi
参数:
- 类型: 单极性 N 型
- 额定漏极-源极电压 (VDS): 40V
- 额定栅极-源极电压 (VGS): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 2.5V
- VGS=4.5V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 14
- VGS=10V时的漏极-源极电阻 (mΩ): 12
- 漏极电流 (ID): 55A
- 技术: Trench
封装: TO252

领域和模块应用:


这款 VBE1410 产品适用于以下领域和模块:
1. 电源模块: 由于其中等漏极电流和适中的漏极-源极电阻,可用于设计各种电源模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)转换器。
2. 电动汽车辅助系统: 适用于设计电动汽车辅助系统模块,如电动助力转向系统、车辆动力分配系统和电动刹车辅助系统,以提高车辆的性能和安全性。
3. 工业控制器: 可用于设计工业控制器模块,如PLC(可编程逻辑控制器)、工业机器人和自动化生产线,以提供可靠的电力控制和调节。
4. 电源开关: 适用于设计电源开关模块,如电力系统的开关控制和电力分配,例如工业电源开关和UPS(不间断电源)系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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