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VBE1310 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBE1310是一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用TO252封装,适用于各种应用场合。

VBE1310适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。

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产品参数:

产品型号: VBE1310
品牌: VBsemi
参数:
- Single N
- VDS(V): 30
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 1.7
- VGS=4.5V(mΩ): 9
- VGS=10V(mΩ): 7
- ID (A): 70
- Technology: Trench
封装: TO252

领域和模块应用:

应用示例:
1. **电源开关模块**: VBE1310的低导通电阻和高电流承受能力使其非常适合用于电源开关模块中的开关电源电路。例如,在电源适配器中,它可以用作开关管,帮助实现电源输出的稳定和高效。

2. **马达驱动模块**: 由于VBE1310具有较高的最大漏极-源极电压和电流承受能力,因此它也非常适合用于马达驱动模块中的电机控制电路。例如,在电动汽车中,它可以用作电机驱动器,帮助实现电动汽车的高效动力输出和动态控制。

3. **电池管理模块**: 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用。例如,在锂电池充电器中,它可以用作充电调节器,帮助实现锂电池的充放电管理和安全充电。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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