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VBE1251K 产品详细

产品简介:

VBE1251K是一款适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和便携式电子产品等多个领域的单N沟道MOSFET。

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产品参数:

参数:
- 极性:单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS):250V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):640mΩ
- 最大漏极电流(ID):4.5A
- 技术:Trench(沟道)
- 封装:TO252

领域和模块应用:

该产品适用于以下领域和模块:

1. **低功率开关模块**:
- 由于其较低的最大漏极电流和较高的漏极-源极电阻,VBE1251K适用于设计和制造低功率开关模块,如小型电源适配器、电子开关和低功耗电路。它可以提供可靠的开关功能,并节省能源。

2. **电源管理模块**:
- 对于需要低功耗和可靠性的电源管理应用,如便携式设备、消费电子产品和无线传感器网络,VBE1251K可用作电源管理模块的关键元件。其适度的漏极电流和较高的漏极-源极电阻使其能够满足这些应用对功耗和性能的要求。

3. **LED驱动器**:
- 在低功率LED照明系统中,如小型照明灯具、指示灯和背光模块,VBE1251K可用作LED驱动器模块的组成部分。其特性使其能够提供稳定的电流输出,实现LED的稳定和高效驱动。

4. **传感器接口模块**:
- 在传感器接口电路中,需要使用低功耗的开关器件来实现传感器信号的处理和传输。VBE1251K的参数使其适用于传感器接口模块,可用于工业自动化、智能家居和医疗设备等领域中的传感器接口电路设计。

5. **便携式电子产品**:
- 对于便携式电子产品如智能手机、平板电脑和便携式电源,VBE1251K可用作功率开关器件。其低功耗和高性能使其成为这些产品中的关键组件,能够提供稳定的电源输出和高效的能量转换。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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