MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBE1206N 产品详细

产品简介:

VBE1206N 是一款单极性 N 型场效应管,具有200V 的漏极-源极电压 (VDS),20V 的栅极-源极电压 (VGS),以及3V 的阈值电压 (Vth)。在栅极-源极电压为10V 时,其导通电阻为55mΩ,最大漏极电流 (ID) 为30A。采用 Trench 技术,封装为 TO252。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

参数:
- 单极性 N 型
- VDS(V): 200
- VGS(±V): 20
- Vth(V): 3
- VGS=10V 时的导通电阻 (mΩ): 55
- ID (A): 30
- 技术: Trench
封装: TO252

领域和模块应用:


这款产品适用于各种领域和模块,具体如下:

1. 电源管理模块:由于 VBE1206N 具有较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流,可用于设计各种电源管理模块,如稳压模块、开关电源等。

2. LED 驱动模块:VBE1206N 的电流和电压特性使其适用于 LED 驱动模块,如 LED 灯条、LED 灯泡等,提供稳定的电力输出。

3. 通信设备模块:在通信设备模块中,VBE1206N 可以用于控制中功率的电路,如网络路由器、无线基站等,实现稳定的信号传输和处理功能。

4. 汽车电子模块:由于其适中的功率特性,VBE1206N 可以应用于汽车电子模块,如车载电源控制模块、发动机管理系统等,提供可靠的电力控制和管理功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询