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VBE1203M 产品详细

产品简介:

VBE1203M是一款单N沟道场效应晶体管,具有200V的额定漏极-源极电压和10A的漏极电流。其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。

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产品参数:

**参数说明:**
- 产品型号: VBE1203M
- 品牌: VBsemi
- 类型: 单N沟道场效应晶体管 (Single N)
- 额定漏极-源极电压(VDS): 200V
- 栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3V
- 栅-源电压为10V时的漏极-源极电阻: 245mΩ
- 漏极电流(ID): 10A
- 技术:沟道型 (Trench)
- 封装:TO252

领域和模块应用:

**示例应用场景及模块:**

1. **电源模块:**
在电源模块中,VBE1203M可用作开关电源的主要功率开关,用于控制电源的输出电压和电流。例如,在电源逆变器中,它可以用于控制逆变器的开关频率和输出功率。

2. **电动工具模块:**
在电动工具模块中,VBE1203M可用作电动工具的电源开关和驱动器。它可以控制电动工具的电动机启停和转速,以及工具的功率输出。

3. **电动车辆模块:**
在电动车辆模块中,VBE1203M可以用作电动车辆的电源开关和控制器。它可以控制电动车辆的电池充放电过程,以及电动机的启停和转速控制。

4. **工业自动化模块:**
在工业自动化模块中,VBE1203M可以用于各种工业控制系统中的功率开关和驱动器。例如,在自动化生产线中,它可以控制各种电动执行器和驱动器的动作。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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