MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBE1202 产品详细

产品简介:

该产品是一款单路 N-型场效应管,具有正向最大漏极-源极电压为20V,栅极-源极电压为±20V,阈值电压为0.5~1.5V的特性。其漏极-源极静态电阻在不同栅极-源极电压下分别为3.5mΩ和3mΩ。最大漏极电流为120A。采用Trench (沟槽)技术封装在TO252封装中。在各种应用场景下都具有广泛的适用性,可为不同领域的电子设备提供稳定可靠的功率控制和管理功能。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

产品型号: VBE1202
品牌: VBsemi
参数:
- 功能: 单路 N-型场效应管 (Single N)
- 最大漏极-源极电压 (VDS): 20V
- 最大栅极-源极电压 (VGS): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 0.5~1.5V
- 漏极-源极静态电阻 (RDS(on)),VGS=2.5V时: 3.5mΩ,VGS=4.5V时: 3mΩ
- 最大漏极电流 (ID): 120A
- 技术: Trench (沟槽)
封装: TO252

领域和模块应用:

由于VBE1202具有单路N-型场效应管的特性,适用于多个领域和模块,包括但不限于:

1. 电源模块:VBE1202可用于电源模块中的稳压器、逆变器和开关电源,以提供稳定的电源输出和高效的能量转换效率。

2. 电动车电池管理模块:在电动车电池管理系统中,VBE1202可用于电池充放电控制、电流限制和保护功能,确保电池系统的安全和可靠性。

3. 电机驱动模块:在电机驱动领域,VBE1202可用于控制电机的启停、速度调节和转向控制,实现对电机的精确控制和高效能量转换。

4. 工业自动化模块:VBE1202可应用于工业自动化系统中的传感器、执行器和控制器,实现对生产线的自动化控制和监测,提高生产效率和质量。

5. LED驱动模块:在LED照明领域,VBE1202可用于LED驱动电路中,实现对LED灯珠的调光和调色,提供高质量的照明效果和节能环保的功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询