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VBE1201M 产品详细

产品简介:

VBE1201M是一款多功能的单N沟道MOSFET,适用于各种电源、驱动和功率控制模块,包括但不限于电源模块、驱动模块、功率逆变器、LED驱动器和电动汽车充电器。

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产品参数:

产品型号:VBE1201M
品牌:VBsemi
参数:
- 极性:单N沟道MOSFET
- 额定漏极-源极电压(VDS):200V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):100mΩ
- 最大漏极电流(ID):15A
- 技术:Trench(沟道)
- 封装:TO252

领域和模块应用:


该产品适用于以下领域和模块:

1. **电源模块**:
- 由于其较高的额定漏极-源极电压和漏极电流,VBE1201M适合用于设计和制造电源模块,如直流电源、开关电源和逆变器。它可以在不同的电源应用中提供可靠的开关功能。

2. **驱动模块**:
- 该器件的低漏极-源极电阻和适度的栅极驱动电压使其成为驱动模块的理想选择。例如,它可用于驱动电机控制器、电动车辆控制器和工业自动化系统中的电机驱动模块。

3. **功率逆变器**:
- 在太阳能逆变器、电动汽车充电器和工业逆变器等应用中,VBE1201M可用作功率逆变器模块的关键元件。其高额定漏极-源极电压和高漏极电流使其能够有效地处理逆变器中的功率转换。

4. **LED驱动器**:
- LED照明系统通常需要高效的电源和驱动器模块来提供恒流或脉宽调制的驱动信号。VBE1201M的特性使其适用于LED驱动器模块,可用于家庭照明、商业照明和汽车照明等应用中。

5. **电动汽车充电器**:
- 在电动汽车充电系统中,需要高性能的功率开关器件来实现高效的能量转换和快速充电。VBE1201M的参数使其成为电动汽车充电器模块的合适选择,能够支持高电压和高电流的操作。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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