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VBE1158N 产品详细

产品简介:

VBE1158N适用于低功耗电子设备,其具备高性能和可靠性能够满足工业环境中的高压、高温和高电流要求。

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产品参数:

产品型号:VBE1158N
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):150V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):2.5V
- 栅极-源极电压为10V时的漏极电阻(mΩ):74
- 最大漏极电流(ID):25.4A
- 技术:Trench
封装:TO252

领域和模块应用:


该产品适用于以下领域和模块:

1. **低功耗电子设备**:
VBE1158N适用于低功耗电子设备,如便携式电子产品、智能家居设备等。由于其低阈值电压和低漏极电阻,能够实现低功耗和高效能量转换,延长设备使用时间。

2. **电源管理模块**:
在电源管理模块中,VBE1158N可用于稳压器、开关电源和DC-DC转换器等模块。其高额定漏极-源极电压和可靠的技术特性能够提供稳定的电源输出,适用于各种电子设备和应用场景。

3. **汽车电子系统**:
由于其高漏极电流和额定漏极-源极电压能力,VBE1158N适用于汽车电子系统中的电源管理和控制模块,如车载充电器、电动窗控制器等。它可以提供可靠的电力支持和稳定的系统运行。

4. **工业控制设备**:
该型号MOSFET还适用于工业控制设备中的电力控制模块,如工业机器人、PLC控制器等。其高性能和可靠性能够满足工业环境中的高压、高温和高电流要求,提高工业生产效率和控制精度。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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