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VBE1152N 产品详细

产品简介:

该产品为单N型晶体管,具有150V的额定漏极-源极电压,能够在±20V的栅极-源极电压下工作。其阈值电压为3V,漏极-源极电阻在VGS=10V时为19mΩ。最大漏极电流为50A。采用Trench技术,封装为TO252。

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产品参数:

参数:
- 晶体管类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):150V
- 栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):19
- 最大漏极电流(ID):50A
- 技术:Trench
封装:TO252

领域和模块应用:


1. **电源管理模块**:由于VBE1152N具有适中的额定电压和电流特性,可用于各种电源管理模块中的功率开关电路。例如,可用于电源逆变器、电源转换器等模块中。

2. **LED照明驱动器**:该晶体管适用于LED照明驱动器中的功率开关电路,用于LED灯具的驱动和控制。其适中的电压和电流特性使其可以满足LED照明系统的驱动需求。

3. **电动汽车充电桩**:在电动汽车充电桩中,VBE1152N可用于功率开关电路,用于控制充电桩的电源转换和输出,实现对电动汽车的快速充电。

4. **工业自动化控制器**:由于该晶体管具有较高的漏极电流和较低的漏极-源极电阻,适用于工业自动化控制器中的功率开关电路,如变频器、PLC等设备的电源管理模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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