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VBE112MR02 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBE112MR02 是 VBsemi 公司推出的单 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),采用 Plannar 技术。该产品具有高耐压、低导通电阻等特点,适用于一些低功率的功率电子应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBE112MR02
- 类型:单 N 型功率 MOSFET
- 额定电压(VDS):1200V
- 门源电压范围(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 门源电压为 10V 时的导通电阻(RDS(on)):4500 mΩ
- 额定电流(ID):2A
- 技术:Plannar
- 封装:TO252

领域和模块应用:





适用领域和模块举例:
1. LED 驱动器:由于 VBE112MR02 具有低功率和适中的电压参数,可用于 LED 灯驱动器中的开关电源模块,提供 LED 灯的稳定驱动电流。
2. 电源管理模块:在一些低功率的电源管理模块中,如小型逆变器和稳压器,VBE112MR02 可以作为功率开关器件,用于电压转换和稳定输出。
3. 太阳能充电控制器:在太阳能充电控制器中,VBE112MR02 可以用作充电和放电控制模块,确保太阳能电池板和电池之间的有效能量转换。

以上是对 VBE112MR02 产品的简介、详细参数说明和适用领域的语段形式举例。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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