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VBE110MR02 产品详细

产品简介:

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VBE110MR02是VBsemi推出的单N沟道功率MOSFET,采用Plannar技术制造,具有高可靠性和性能稳定的特点。适用于各种电力电子应用,是电子产品设计中的理想选择。

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产品参数:

详细参数说明:
- 额定电压(VDS):1000V
- 栅源电压范围(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ):7500
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):6000
- 最大漏电流(ID):2A

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电源管理模块:由于其高额定电压和低导通电阻,VBE110MR02适用于电源管理模块中的开关电路,能够提供高效的电力控制和管理。
2. LED照明系统:在LED照明系统中,VBE110MR02可用作LED驱动器的功率开关,实现对LED灯珠的稳定供电,提高照明系统的效率和可靠性。
3. 工业控制设备:VBE110MR02适用于工业控制设备中的功率开关模块,用于实现对工业设备的精准控制和调节,提高生产效率和节能减排。

以上仅为一些示例,VBE110MR02可广泛应用于各种电力电子设备中,为产品设计提供稳定可靠的电力控制解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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