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VBE1106N 产品详细

产品简介:

VBE1106N是一款高性能的单N沟道MOSFET,适用于各种电源和功率管理应用,包括电源逆变器、LED照明驱动和工业控制等,具有广泛的应用前景。具有低漏极-源极导通电阻、高漏极电流和宽工作电压范围等特点,使其在多种领域和模块中得到广泛应用。

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产品参数:

参数:
- 类型:单N沟道MOSFET
- 额定电压(VDS):100V
- 门极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.8V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):57mΩ
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):55mΩ
- 漏极电流(ID):25A
- 技术:沟道型MOSFET
- 封装:TO252

领域和模块应用:

应用简介:

举例说明:
1. 电源逆变器模块:
VBE1106N适用于太阳能逆变器、电网逆变器和UPS(不间断电源)等电源逆变器模块中。其高额定电压和大漏极电流能够适应不同规模的电源逆变器系统,并保证高效能和可靠性。

2. LED照明驱动模块:
在LED照明产品的驱动模块中,VBE1106N可以用作功率开关器件,实现LED的控制和调光。其高漏极电流和低导通电阻可以提供稳定的电流输出,并确保LED照明产品的亮度和稳定性。

3. 工业控制模块:
在工业控制系统中,VBE1106N可以用于电机驱动、电源逆变和功率调节等应用。其高性能和可靠性可以提高工业生产的效率和稳定性,满足工业生产对于高质量和高效能的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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