MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBE1104NB 产品详细

产品简介:

VBE1104NB是一款单N沟道场效应管(Single N),适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块,如电源模块、电动车辆、工业自动化和太阳能逆变器等。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

参数:
- 类型: 单N沟道场效应管(Single N)
- 额定漏极-源极电压(VDS): 100V
- 门源电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 1.8V
- 门源电压为4.5V时的导通电阻(mΩ): 34mΩ
- 门源电压为10V时的导通电阻(mΩ): 32mΩ
- 最大漏极电流(ID): 40A
- 技术特点: 沟道(Trench)
封装: TO252

领域和模块应用:

该产品适用于各种领域和模块,具体如下:

1. **电源模块**:
由于VBE1104NB具有较高的漏极-源极电压和漏极电流,适合用于开关电源模块中的主开关或同步整流器,能够提供可靠的功率转换和高效的能量传输。

2. **电动车辆**:
在电动车辆中,该产品可用作电机驱动器的功率开关,实现电动车辆的高效能量转换和可靠的性能。

3. **工业自动化**:
在工业自动化领域,VBE1104NB可用于各种工业控制模块和驱动器中,如变频器、PLC系统和机器人控制器,以实现精确的运动控制和可靠的系统运行。

4. **太阳能逆变器**:
由于其高电压和电流特性,该产品适用于太阳能逆变器模块中的功率开关,用于太阳能电池板的能量转换和输出控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询