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VBE1104NA 产品详细

产品简介:

VBE1104NA是一款高性能的单N沟道MOSFET,适用于各种电源和功率管理应用。其特点包括低漏极-源极导通电阻、高漏极电流和宽工作电压范围,使其在多种领域和模块中得到广泛应用。包括电源逆变器、电动汽车和工业自动化控制等,具有广泛的应用前景。

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产品参数:

参数:
- 类型:单N沟道MOSFET
- 额定电压(VDS):100V
- 门极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):1.8V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):37mΩ
- 在VGS=10V时的漏极-源极导通电阻(mΩ):35mΩ
- 漏极电流(ID):38A
- 技术:沟道型MOSFET
- 封装:TO252

领域和模块应用:

举例说明:
1. 电源逆变器模块:
VBE1104NA适用于太阳能逆变器、电网逆变器和UPS(不间断电源)等电源逆变器模块中。其高额定电压和大漏极电流能够适应不同规模的电源逆变器系统,并保证高效能和可靠性。

2. 电动汽车驱动模块:
在电动汽车和混合动力汽车的驱动模块中,VBE1104NA可以用作功率开关器件,实现电动机的控制和驱动。其高漏极电流和低导通电阻可以提供稳定的电流输出,并确保电动汽车的安全和效能。

3. 工业自动化控制模块:
在工业自动化控制系统中,VBE1104NA可以用于马达控制、电源逆变和功率调节等应用。其高性能和可靠性可以提高工业生产的效率和稳定性,满足工业生产对于高质量和高效能的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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