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VBE1104N 产品详细

产品简介:

VBE1104N是一款单路 N 型场效应晶体管,具有以下特性,适用于多种应用场景。

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产品参数:

参数:
- 类型: 单路 N 型场效应晶体管
- 最大漏极-源极电压(VDS): 100V
- 最大栅极-源极电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 1.8V
- 在VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ): 35
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ): 30
- 最大漏极电流(ID): 40A
- 技术: 沟道
封装: TO252

领域和模块应用:

例1: 适用于汽车电子模块
该晶体管具有较高的漏极电流容量和较低的漏极-源极电阻,非常适合用作汽车电子模块中的功率开关器件。在汽车电子模块中,它可以用于发动机控制、电动助力转向、车载充电桩等应用,确保汽车系统的稳定性和性能。

例2: 适用于工业控制模块
由于VBE1104N具有可靠的性能和较高的电流容量,适合用于工业控制模块中的功率开关器件。在工业控制模块中,它可以用于电机驱动、变频器、UPS系统等应用,实现工业设备的高效运行和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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