VBE1102M是一款单N沟道型器件，详细参数说明：
- Single N: 单N沟道型器件
- VDS(V): 最大漏极-源极电压为100V，表示器件可以承受的最大工作电压。
- VGS(±V): 栅极-源极电压为正负20V，表示器件的栅极电压范围。
- Vth(V): 阈值电压为1.5V，表示器件的启动电压。
- VGS=10V(mΩ): 当栅极-源极电压为10V时，漏极-源极间的导通电阻为200mΩ。
- ID (A): 最大漏极电流为12A，表示器件可以承受的最大漏极电流。
- Technology: 采用沟槽技术(Trench)，提供更高的性能和可靠性。
- 封装：TO252，适合用于散热的表面贴装封装。