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VBE1101N 产品详细

产品简介:

VBE1101N是VBsemi推出的单晶N型场效应晶体管,具有高性能和广泛的应用领域。

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产品参数:

参数:
- 单晶N型
- VDS(最大漏电压):100V
- VGS(门源电压)(正负):20V
- Vth(门阈电压):2.5V
- VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ):11
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):9
- ID(最大漏极电流):85A
- 技术:沟槽型(Trench)
- 封装:TO252

领域和模块应用:

以下是该产品在不同领域和模块上的应用示例:

1. **电源管理模块**:由于VBE1101N具有合适的漏极电压(100V)和漏极电流(85A)特性,适用于电源管理模块中的开关稳压器、DC-DC转换器和电池管理系统等应用。其低漏极-源极电阻可实现高效的能源转换和稳定的电源输出。

2. **电动汽车充电模块**:在电动汽车充电系统中,VBE1101N可用于充电控制器和电池管理系统,实现电动汽车的快速充电和高效能源管理。其高漏电压和高漏极电流特性使其能够承受充电系统的高功率负载。

3. **工业自动化模块**:在工业自动化系统中,VBE1101N可用于控制和驱动各种设备和机器,如电机、泵和阀门。其高性能和稳定性有助于提高自动化生产线的效率和精度,实现精确的生产过程控制。

4. **太阳能逆变器模块**:在太阳能逆变器中,VBE1101N可用作开关元件,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。其高漏电压和低漏极电阻特性使其能够适应各种环境和气候条件下的太阳能发电系统,提供稳定可靠的电源输出。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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