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VBC8338 产品详细

产品简介:

一、产品简介:
VBsemi VBC8338是一款Dual N+P型MOSFET,具有双向通道设计,适用于正负电压。其漏极-源极电压(VDS)为±30V,栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为2V(N通道)/-2V(P通道)。采用了Trench技术,具有高效的功率转换和稳定的性能。封装为TSSOP8,体积小巧,适合高密度集成。该产品适用于各种应用场景,为电路设计提供了灵活的解决方案。

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产品参数:

二、详细参数说明:
- 型号:VBC8338
- 品牌:VBsemi
- MOSFET类型:Dual N+P
- 漏极-源极电压(VDS):±30V
- 栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):2V(N通道)/-2V(P通道)
- 在VGS=4.5V时的导通电阻(mΩ):2/14(N/P通道)
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):2/7(N/P通道)
- 漏极电流(ID):6.2A(N通道)/5A(P通道)
- 技术:Trench
- 封装:TSSOP8

领域和模块应用:





三、应用领域和模块举例:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 电源管理:用于电源开关、DC-DC转换器和逆变器等电源管理系统中的功率开关控制。
2. 消费电子:适用于移动设备、笔记本电脑和平板电脑等消费电子产品中的电源管理和功率控制。
3. 通信设备:用于基站、通信网络设备和路由器等通信设备中的功率开关控制模块。
4. 汽车电子:适用于汽车电子系统、车载娱乐系统和车载充电器等汽车电子模块。
5. 工业控制:用于PLC、工业机器人和自动化生产线等工业控制系统中的功率开关控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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